Skip to content
Kioxia и SanDisk представили QLC 3D NAND 10-го поколения с плотностью 37 Гбит/мм² и скоростью 4,8 Гбит/с
15 августа 11:10 0 Просмотров Новости

Kioxia и SanDisk представили QLC 3D NAND 10-го поколения с плотностью 37 Гбит/мм² и скоростью 4,8 Гбит/с

Компании Kioxia и SanDisk официально анонсировали новейшую флеш-память QLC 3D NAND 10-го поколения (BiCS), разработанную специально для дата-центров, облачных платформ и инфраструктуры искусственного интеллекта. Объявление состоялось в августе 2026 года: предварительная информация появилась 4 августа, а полноценное пресс-релиз — 12 августа. Новая память устанавливает индустриальные рекорды по плотности битов и скорости интерфейса среди QLC-решений. чип памяти Kioxia SanDisk QLC 3D NAND 10-го поколения

Рекордная плотность и 332-слойная архитектура

Ключевое достижение нового поколения — плотность записи 37 Гбит/мм², что на 60% выше показателей 8-го поколения BiCS. Такая плотность стала возможной благодаря переходу на 332-слойную архитектуру хранения заряда. Увеличение количества слоев позволяет размещать больше ячеек памяти на единице площади кристалла, что напрямую влияет на итоговую емкость накопителей. По заявлению компаний, достигнутый уровень плотности открывает путь к созданию корпоративных SSD рекордной емкости — вплоть до 1 петабайта (1000 ТБ) в одном устройстве. схема 332-слойной архитектуры BiCS QLC

Скорость интерфейса 4,8 Гбит/с и архитектура CBA

Чипы 10-го поколения стали первыми в индустрии среди QLC 3D NAND, достигшими скорости интерфейса 4,8 Гбит/с. Прирост составляет около 33% по сравнению с предыдущим поколением. Для обеспечения таких характеристик применяется архитектура CBA (CMOS directly Bonded to Array) — КМОП-логика и массив ячеек памяти изготавливаются на отдельных кремниевых пластинах с последующим высокоточным соединением wafer-to-wafer. Разделение процессов позволяет оптимизировать каждую пластину под свои задачи: логика получает быстрые транзисторы, а массив памяти — максимальную плотность ячеек. Соединение двух пластин обеспечивает короткие пути сигналов и высокую пропускную способность. технология wafer-to-wafer bonding CBA

Энергоэффективность и технология PI LTT

Проблема энергопотребления при высоких скоростях интерфейса решается за счет технологии Power Isolated Low Tapped Termination (PI LTT). Она существенно снижает потребление энергии на операциях ввода-вывода (I/O), что критически важно для охлаждения серверных стоек в дата-центрах. Снижение тепловыделения при сохранении производительности позволяет повысить плотность размещения накопителей в стойках и уменьшить расходы на системы охлаждения. серверная стойка с SSD на базе QLC 3D NAND

Применение в ИИ и дата-центрах

Новая память позиционируется как решение для рабочих нагрузок, связанных с искусственным интеллектом, и интенсивных по данным приложений. Высокая плотность и скорость позволяют хранить массивные датасеты для обучения и инференса моделей ИИ ближе к вычислительным узлам, а низкое энергопотребление делает экономику владения привлекательной для гиперскейлеров и облачных провайдеров. Kioxia Corporation (дочерняя компания KIOXIA Holdings Corporation, TOKYO: 285A) и SanDisk Corporation планируют поставлять образцы партнерам для квалификации и интеграции в корпоративные SSD следующего поколения.

Поделиться

Похожие публикации