Samsung и SK hynix модернизируют NAND-заводы в Китае

Южнокорейские гиганты Samsung Electronics и SK hynix готовят модернизацию своих предприятий в Китае для выпуска более современной NAND-памяти. Компании переходят на чипы с 286 и 240 слоями соответственно, при этом не нарушая американские экспортные ограничения. Процесс идёт при постоянных консультациях с Вашингтоном.

Завод Samsung в Сиане, на который приходится около 40% мирового производства NAND этой компании, сейчас выпускает чипы с примерно 200 слоями. После модернизации предприятие перейдёт на 286-слойные микросхемы V9 NAND. К концу этого года ежемесячный выпуск таких чипов должен составить около 5 тысяч пластин, а к декабрю следующего — вырасти до 40 тысяч.

SK hynix на своём предприятии в Даляне (бывший актив Intel) планирует переход с текущих 192 слоёв на память как минимум с 240 слоями. По неофициальным данным, американские власти пока разрешают выпускать чипы до 240 слоёв включительно. Если понадобится производство с более чем 300 слоями, компанию попросят отдельного разрешения.

Обе компании подчёркивают: они не расширяют физические мощности и не строят новые площадки. Это ключевое условие, согласованное с властями США ещё в 2022 году. Модернизация идёт за счёт вертикального усложнения чипов — больше слоёв на той же площади кремниевой пластины.

Давление со стороны китайских конкурентов заставляет южнокорейских производителей действовать. Во втором квартале 2026 года местная компания YMTC контролировала уже 38,5% китайского рынка NAND против 33,5% у Samsung и 17% у SK hynix. Годом ранее эти цифры выглядели иначе: 28%, 36% и 20% соответственно. YMTC уже выпускает память со 160 и 232 слоями, а в небольших объёмах — и 294-слойные чипы.

На практике такие модернизации всегда сопровождаются периодическими сбоями в поставках оборудования. Те, кто работал с производственными линиями в Азии, знают: даже при согласовании с регуляторами каждый новый станок требует отдельной экспортной лицензии. Процесс может затянуться на месяцы, а иногда и вовсе не получить одобрения.

Глобальный дефицит памяти добавляет срочности. Дата-центры и ИИ-проекты по всему миру нуждаются в более ёмких накопителях. При этом за пределами Китая Samsung уже предлагает 286-слойную память и имеет прототипы с более чем 400 слоями. SK hynix выпускает чипы до 321 слоя.

Интересный момент: возобновление активности на площадке Intel в Огайо породило слухи о возможном партнёрстве со SK hynix. Южнокорейская компания может разделить затраты на строительство и получить базу для производства памяти в США. Достоверной информации нет, но с учётом напряжённости вокруг Тайваня такой сценарий выглядит логично.

В России тем временем обсуждают возвращение Samsung и SK hynix в список параллельного импорта. Обе компании исключили из перечня в мае, но мировой кризис памяти и потребности дата-центров заставляют пересматривать это решение. По словам экспертов, отечественного производства сопоставимых SSD и микросхем памяти DRAM, NAND и HBM сейчас просто нет.

Что будет с экспортными лицензиями дальше — зависит от политической конъюнктуры. Вашингтон может как ужесточить, так и смягчить условия. Пока оба производителя держат паузу и не раскрывают детали производственных планов.

Никита Карпов

Главный редактор

Пишу о гаджетах, нейросетях и том, как технологии меняют нашу жизнь. Проверяю всё на себе, чтобы вы не тратили деньги зря.