Kioxia и Sandisk вложат более $31 млрд в расширение производства NAND в Японии к 2032 году
Масштабные инвестиции на фоне ИИ-бума
Японская Kioxia и американская Sandisk объявили о совместном плане инвестиций объемом более $31 млрд (свыше ¥5 трлн) для развития и расширения производственных мощностей NAND-памяти в Японии. Программа рассчитана на долгосрочную перспективу — вплоть до 2032 года. Анонс сделан 27 августа 2026 года, сообщают Bloomberg и Reuters. 
Ключевой объект — новый корпус на заводе Китами
Из общей суммы инвестиций около $11,3 млрд (1,8 трлн иен) будет направлено на строительство нового корпуса для выпуска передовой памяти на заводе Китами (Kitakami) в префектуре Иватэ на севере Японии. Этот объект станет центральным элементом стратегии расширения производственных мощностей двух компаний.
Поддержка японского правительства
Проект и инвестиции напрямую привязаны к поддержке со стороны японского правительства. Это подчеркивает стратегическую важность полупроводникового сектора для государства. TOKYO, Aug 27 (Reuters) — Япония продолжает курс на укрепление технологического суверенитета через финансирование критической инфраструктуры.
Драйвер роста — спрос ИИ-датацентров
Основной катализатор расширения — беспрецедентный спрос со стороны ИИ-датацентров. Нейросети требуют не только мощных GPU и быстрой HBM/DRAM, но и колоссальных объемов надежного и быстрого хранилища для сбора, предварительной обработки датасетов и работы со скоростными кеш-слоями. 
Рынок NAND: дефицит и рост цен
По данным отраслевых источников, условные объемы производства NAND у крупных игроков уже расписаны наперед. Весь объём производства NAND-памяти Kioxia на 2026 год уже распродан — сообщало издание Overclockers.ru со ссылкой на отраслевые данные от 21 января 2026 года. Эпоха совсем дешевых терабайтных SSD временно ушла в прошлое, цены растут.
Технологический переход
Производители избавляются от старых техпроцессов — 2D NAND и ранних поколений 3D NAND — перебрасывая ресурсы на самые плотные и современные пластины. Новый корпус в Китами будет заточен именно под передовые поколения 3D NAND, что обеспечит необходимую плотность и производительность для ИИ-нагрузок. 