Kioxia запустила тестовые поставки 230-слойной памяти BiCS 9 и представила первые SSD с PCIe 6.0 на фоне разочаровательного прогноза

Японский производитель Kioxia анонсировал сразу несколько важных новостей: начало отгрузки образцов 230-слойной флеш-памяти 9-го поколения BiCS FLASH со скоростью интерфейса 4,8 Гбит/с, презентацию корпоративных SSD серии CM10 на интерфейсе PCIe 6.0 ёмкостью до 61,44 Тбайт, а также опубликовал финансовый прогноз, который не оправдал ожиданий инвесторов и вызвал волну беспокойства на фоне замедления ИИ-бума.

BiCS 9: 230 слоёв и скорость 4,8 Гбит/с

По сообщению компании от 30 июля 2026 года, Kioxia начала поставки заинтересованным клиентам образцов памяти Triple-Level Cell (TLC) ёмкостью 1 Тбит (терабит), изготовленной по технологии 3D NAND девятого поколения. Чипы обладают 230 активными слоями — для сравнения, восьмое поколение BiCS 8 имело 218 слоёв.

Ключевое улучшение — скорость интерфейса NAND, достигшая 4,8 Гбит/с. Это на 33% выше показателей предыдущего поколения и, по заявлению производителя, соответствует производительности чипов 10-го поколения конкурентов. При производстве применяются технологии CMOS Direct Bonded to Array (CBA) и On-Pitch Select Gate Drain (OPS): CMOS-кристалл бондится непосредственно к массиву памяти, что позволяет разделить логику управления и ячейки хранения на разные вейферы и оптимизировать каждый из них.

Kioxia развивает параллельно две линейки: NAND 9-го поколения — для высокой производительности при относительно низких инвестиционных затратах, и NAND 10-го поколения — с передовыми технологиями многослойной компоновки для максимальной ёмкости и скорости. Новые чипы ориентированы на SSD для ПК и ноутбуков, а также на смартфоны с поддержкой ИИ, где требуются накопители малого и среднего объёма с высокой пропускной способностью.

Первые корпоративные SSD с PCIe 6.0: серия CM10

В тот же день компания анонсировала линейку твердотельных накопителей Kioxia CM10 — первые в портфолио изделия с интерфейсом PCIe 6.0. В их основе лежат 322-слойные чипы BiCS FLASH TLC 10-го поколения. Новинки адресованы корпоративным серверам и инфраструктуре искусственного интеллекта.

• Форм-факторы: E3.S, E1.S и 2,5 дюйма
• Ёмкость: от 1,6 до 61,44 Тбайт в зависимости от модели и форм-фактора
• Две линейки по ресурсу: с высокой интенсивностью чтения (1 DWPD — одна полная перезапись в день) и смешанного назначения (3 DWPD)
• Заявлено до 92% более высокая последовательная скорость чтения и до 85% более высокая случайная скорость чтения по сравнению с предыдущей серией CM9
• Полные данные по пропускной способности и IOPS пока не раскрываются

Модели E3.S и E1.S толщиной 9,5 мм поддерживают прямое жидкостное охлаждение (помимо стандартного воздушного) — это критично для высокоплотных ИИ-систем, где тепловыделение SSD может ограничивать конфигурацию сервера. Исключение составляет 2,5-дюймовая модель: она использует PCIe 5.0 и 8-е поколение NAND вместо PCIe 6.0 и 10-го поколения.

Накопители соответствуют спецификациям PCIe 6.0, NVMe 2.1, компонентам OCP Datacenter NVMe SSD Specification 2.7 и поддерживают NVMe Flexible Data Placement. В области безопасности заявлены: самошифрование, FIPS 140-3, аттестация SPDM 1.4 и постквантовая криптография по стандарту CNSA 2.0.

Поддержка архитектуры Nvidia CMX и задачи ИИ

Важной особенностью серии CM10 является поддержка архитектуры Nvidia CMX. Она позволяет использовать флеш-память для расширения иерархии памяти за пределы видеопамяти GPU в составе сервера. Это открывает путь к выполнению задач ИИ и хранению контекстного кеша для больших языковых моделей с огромным количеством параметров и расширенными контекстными окнами — именно там, где HBM и DRAM становятся экономически нецелесообразными или физически ограниченными.

На данный момент Kioxia проводит тестирование накопителей CM10 у отдельных клиентов; даты массового запуска и цены не сообщаются.

Финансовый прогноз: разочарование инвесторов

На фоне технологических успехов 31 июля Kioxia опубликовала финансовый прогноз, который, по данным Bloomberg, не оправдал ожиданий рынка. Компания спрогнозировала операционную прибыль в 3,16 трлн иен ($19,9 млрд) на первую половину финансового года, что соответствует 1,89 трлн иен ($11,9 млрд) на текущий квартал. Фактическая операционная прибыль за II квартал составила 1,27 трлн иен ($7,9 млрд) — ниже консенсуса аналитиков.

Инвесторы рассматривали Kioxia как одного из главных бенефициаров расширения центров обработки данных для ИИ. Неутешительный прогноз усилил опасения, что темпы инвестиций крупнейших операторов ЦОД не устоят из-за растущей конкуренции и высокой задолженности. Kioxia выбрала осторожную стратегию: наращивать мощности лишь немногим быстрее отраслевого роста, чтобы избежать перенасыщения рынка. Но это создаёт риск потери доли в пользу более крупных и капиталоёмких конкурентов — Samsung и SK hynix, которые в следующем году представят чипы NAND нового поколения.

Волатильность акций и меры поддержки

Акции компании пережили резкие колебания: в какой-то момент Kioxia стала самой дорогой компанией Японии, обогнав Toyota и SoftBank, однако за месяц потеряла две трети накопленного роста. Для стабилизации ситуации объявлены дробление акций в соотношении 3:1 и выкуп собственных бумаг на сумму до 800 млрд иен ($5 млрд) — небывалый для компании объём. Меры призваны расширить базу акционеров и снизить волатильность, но гарантий компенсации упущенной прибыли нет.

Дополнительный вызов — необходимость привлечь американских гиперскейлеров, у которых сложились прочные долгосрочные отношения с корейскими поставщиками. Операторы ЦОД стремятся заключать многолетние контракты на поставку, что даёт их партнёрам высокую прозрачность спроса и создаёт барьеры для новых игроков.

Итоги

Kioxia демонстрирует технологическое лидерство: 230-слойная BiCS 9 с интерфейсом 4,8 Гбит/с и первые в линейке PCIe 6.0 SSD на 322-слойной NAND 10-го поколения с поддержкой жидкостного охлаждения, постквантовой криптографии и архитектуры Nvidia CMX. Однако финансовый прогноз и реакция рынка показывают, что в текущих условиях технологическое превосходство не гарантирует финансового успеха — решающую роль играют долгосрочные контракты с гиперскейлерами и умение балансировать между наращанием мощностей и риском перенасыщения рынка NAND.