Китай создал ключевой компонент для суверенной EUV-литографии с помощью бывшего инженера ASML
Китайские исследователи разработали источник лазерного излучения в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV) — критически важный компонент для создания собственных литографических сканерсов. По данным нидерландского издания Newsbit, над проектом работала группа под руководством бывшего сотрудника ASML Линь Наня (Lin Nan), специализировавшегося в Нидерландах на технологиях источников света для полупроводникового оборудования. 
Технические показатели прототипа
Ранее китайским разработчикам на экспериментальном уровне удавалось достичь эффективности преобразования энергии в EUV-излучение не более 3,42 %. Мощность такого источника составляла от 100 до 150 Вт. Для сравнения: современные серийные EUV-системы ASML выдают около 600 Вт, а компания планирует поднять этот показатель до 1000 Вт. Чем выше мощность источника, тем большее количество чипов можно производить в единицу времени.
Текущий прототип работает в лабораторном формате и ещё не пригоден для массового производства. Эффективность 3,42 % вплотную приближает разработку к порогу, необходимому для интеграции в полноценные производственные установки, однако коммерческой эксплуатации это пока недостаточно.
Роль бывшего инженера ASML
Линь Нань работал в штаб-квартире ASML в Нидерландах, занимаясь разработкой лазерных источников. После возвращения в Китай в рамках государственной программы по привлечению кадров он возглавил передовую исследовательскую группу, связанную с Шанхайским институтом оптики и точной механики Академии наук Китая. Именно под его руководством удалось достичь прогресса в создании источника EUV-излучения. 
Сложности создания полноценного EUV-сканера
Наличие источника излучения — лишь один из элементов сложной системы. Для производства пригодных к серийному выпуску микросхем необходимы:
- сверхточные зеркальные оптические системы;
- системы прецизионного позиционирования с точностью в несколько нанометров;
- сложное программное обеспечение для управления процессом.
Оптические компоненты остаются особенно сложной задачей. Компания ASML разрабатывает их совместно с немецкой Zeiss. По данным Reuters, прототипы EUV-сканеров китайской разработки пока не обладают достаточно качественной оптикой. 
Временные горизонты и контекст
Китайские специалисты рассчитывают получить первые работающие чипы с использованием собственной EUV-технологии к 2028 году. Однако независимые эксперты считают более реалистичной дату 2030 года. До появления полностью суверенных и пригодных для серийного выпуска EUV-литографов в Китае ещё далеко.
Разработка ведётся на фоне санкционных ограничений: поставки EUV-оборудования в Китай были запрещены в 2019 году по инициативе властей Нидерландов, где расположена штаб-квартира ASML, а позже инициативу поддержали американские власти. Это заставило китайскую полупроводниковую промышленность полагаться на собственные силы. Параллельно Китаю удалось наладить массовое производство собственных DUV-литографов для выпуска 7-нм чипов, однако EUV-технология необходима для технологических норм менее 7 нм. 