CXMT начала тестирование LPDDR6 — массовое производство запланировано на вторую половину 2026 года

Китайский производитель ускоряет разработку памяти следующего поколения

Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) приступила к тестированию микросхем оперативной памяти LPDDR6, что стало важным шагом в реализации её дорожной карты по выпуску продукции будущих поколений. Массовое производство новых чипов запланировано начать во второй половине 2026 года, позволив компании конкурировать с мировыми лидерами отрасли.

Технические характеристики и производственные изменения

Новые чипы LPDDR6 обещают скорость передачи данных до 12,8 Гбит/с, что ставит их в один ряд с флагманскими решениями Samsung и SK Hynix. Для успешного перехода к выпуску DDR6 компания внедряет панельный метод производства вместо традиционной рулонной печати. Такой подход позволит создавать многослойные микросхемы без снижения выхода годной продукции, что особенно важно для нового стандарта, требующего повышенной точности и большего количества слоёв подложки. [изображеие | Производственная линия CXMT в Хэфэе]

Ключевым партнёром в этой инициативе стала южнокорейская компания Haesung DS, один из ведущих поставщиков выводных рамок и подложек для DRAM. Фирма успешно прошла сертификацию в начале 2026 года и получила разрешение на производство подложек для DDR5, заложив основу для будущих планов по выпуску памяти DDR6.

Рыночные позиции и клиенты

На сегодняшний день CXMT занимает четвёртое место в мире среди производителей DRAM с долей рынка около 7,7–8%. Ежемесячный объём производства на заводе в Хэфэе составляет порядка 300 000 кремниевых пластин. Продукция компании активно поставляется крупным брендам электроники, включая Huawei, Xiaomi и Oppo, а облачные платформы Alibaba Cloud и Tencent Cloud также входят в число постоянных клиентов.

По имеющимся данным, Apple тестирует микросхемы памяти CXMT, что потенциально может открыть компании дверь на глобальный рынок при получении соответствующей сертификации. Это значимый шаг, учитывая растущие ограничения поставок на рынке традиционной памяти LPDDR, вызванные сосредоточением Samsung и SK Hynix на выпуске высокопроизводительной памяти HBM.