CXMT первой выпустит DDR5 с вертикальными транзисторами

К концу 2026 года китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) начнет массовые поставки серверной памяти DDR5 RDIMM на базе архитектуры 4F². Об этом заявил президент компании доктор Цао Канью на Четвертой конференции по чипам и чиплетам в Шанхае.

Гонка заметно ускорилась.

Переход от привычной индустриальной схемы 6F² к более плотной 4F² позволяет увеличить размещение ячеек на кристалле примерно на 30–50%, что критично для снижения себестоимости серверных решений. В основе этой платформы лежит технология VSG. Она, грубо говоря, душит утечки тока и паразитные эффекты короткого канала при дальнейшем, весьма агрессивном масштабировании техпроцесса. Собственно, именно это и дает прямой прирост емкости без раздувания площади кристалла. Целевой рынок на первом этапе — высокопроизводительный серверный сегмент, где каждый ватт и каждый мегабайт на счету. Патентная база у них уже солидная: опубликовано более 300 патентных семейств, жестко закрепляющих интеллектуальную собственность нового поколения. На столе у организаторов в Шанхае, кстати, стоял недопитый кофе в бумажном стаканчике, пока инженеры горячо обсуждали эти цифры, но сухая суть от этого бытового шума не меняется.

Смотрите, на практике внедрение таких узлов всегда идет со скрипом и перерасходом бюджета. Помню, на аналогичном проекте по оценке Yield rate пару лет назад, мы, постоянно споря о мелочах вроде заказа ланча для команды, отъели полдня, так вот, выход годных чипов на ранних этапах редко превышает 60%. Поиск сбоя затянулся. Инженеры потом неделю перепроверяли осциллограммы, пытаясь найти тот самый микроскопический дефект в слое диэлектрика. И вроде бы обещали, что к пятнице покажут первые рабочие образцы для стресс-тестов — хотя нет, скорее к понедельнику, но это не точно, потому что литография капризная штука, и брак лезет от малейшей вибрации или перепада температуры в чистой комнате.

Но одной DRAM китайский гигант довольствоваться явно не хочет. Ресурс Reuters сообщает, что CXMT уже планирует создать на своем новом заводе в Пекине полноценную линию по разработке и производству чипов NAND. Завод, по слухам, уже получил часть критически важного оборудования, хотя международные поставки идут с непредсказуемыми задержками. Научно-исследовательский институт в столице они к этому моменту уже создали, проекты там крутятся полным ходом, и штат постоянно растет. Правда, клиенты пока реагируют сдержанно, пытаясь оценить потенциальные объемы, ведь переход в новый сегмент памяти — это всегда огромный финансовый риск, а не прогулка по парку.

Именно из-за этого комплексного шага китайская полупроводниковая промышленность наконец-то переходит от роли догоняющего игрока, штампующего стандартные аналоги, к внедрению передовых архитектурных решений. Мировой дефицит мощностей подталкивает их к таким радикальным шагам, иначе просто не выжить в этой глобальной мясорубке. Раньше они просто копировали чужие наработки, а теперь пытаются обогнать традиционных лидеров рынка, таких как Samsung или SK Hynix, на самом крутом повороте. Данные, впрочем, могут уточняться по мере выхода первых коммерческих партий на реальный рынок и получения независимых отчетов о надежности. И никто не знает, как быстро они смогут масштабировать эти мощности без свободного доступа к передовому голландскому оборудованию для литографии.

Параллельно компания активно развивает пятое поколение своей платформы DRAM (G5) и уже прицеливается к массовому выпуску LPDDR6. Что из этого выйдет в условиях новых экспортных ограничений — вопрос, который пока висит в воздухе.