Micron выпустит 400-слойную NAND на 50% быстрее к 2027 году

Micron делает неожиданный ход. Компания официально объявила о пропуске десятого поколения флеш-памяти, сразу переходя к разработке 3D NAND G11 с более чем 400 слоями. По предварительным данным, массовый выпуск этих чипов, обещающих прирост скорости интерфейса на 50% и снижение энергозатрат более чем на четверть, стартует лишь во второй половине 2027 года.

Фактически, инженеры решили не мелочиться с эволюционным развитием.

«Мы оптимизировали эту память, целенаправленно подготовив ее для будущих продуктов в сфере искусственного интеллекта, именно поэтому мы переходим с 9-го сразу на 11-е поколение», — отмечают в Micron.

Те, кто плотно следит за дорожными картами производителей памяти, знают: такой резкий скачок плотности — это всегда головная боль при отладке техпроцесса на ранних этапах. Цифры говорят сами. Если текущее девятое поколение (G9) держит планку около 21 Гбит/мм² при 276 слоях, то отраслевые эксперты прочат G11 плотность под 42 Гбит/мм². Правда, в компании пока скромно умалчивают, идёт ли речь о трёхбитных (TLC) или четырёхбитных (QLC) ячейках, а сравнивать их в лоб — занятие заведомо неблагодарное. Скорость интерфейса при этом вырастет с привычных 3,6 Гбит/с до примерно 5,4 Гбит/с.

Достигается подобная производительность за счёт уже проверенной технологии wafer-on-wafer bonding. Массив ячеек памяти и периферийная логика ввода-вывода штампуются на разных кремниевых подложках, после чего их аккуратно объединяют в единый многослойный бутерброд. Этот метод успешно обкатали в YMTC, а следом без лишнего шума подтянулись Kioxia и Samsung. Однако Micron не просто копирует чужие наработки, а закладывает в G11 архитектуру сверхвысокой плотности с новым материалом. Речь, судя по всему, идёт о замене традиционных поликремниевых каналов на состав, обеспечивающий существенно более высокую подвижность носителей заряда.

И всё это затевается отнюдь не ради рядовых пользовательских SSD. Грубо говоря, целевая аудитория этих чипов — будущие ИИ-кластеры и высоконагруженные серверные стойки. На практике подобные инициативы часто упираются в жесткий теплопакет: более плотная память неизбежно греется сильнее при пиковых нагрузках, однако в Micron рапортуют о снижении энергозатрат на передачу одного бита более чем на 25%. Потребительские накопители на этой базе появятся ещё нескоро, ориентировочно к 2028 году.

Гонка вооружений без права на ошибку

Гонка слоёв в индустрии NAND давно превратилась в настоящую битву технологий. Ещё несколько лет назад двести с лишним слоев казались физическим пределом, но сейчас эта планка безжалостно пробита. Пока Samsung и SK Hynix методично наращивают слои в своём привычном, предсказуемом ритме, американский производитель решил сыграть ва-банк. В нашей редакционной практике мы не раз видели, как громкие анонсы о «прорывных архитектурах» разбивались о суровые реалии массового производства, где выход годных кристаллов падает до неприемлемых значений. Примечательно, что в актуальной дорожной карте компании напрочь отсутствуют упоминания о поколении G12. Это красноречиво свидетельствует о том, что все инженерные ресурсы брошены исключительно на отработку G11, дабы не упустить стратегическую инициативу в сегменте ИИ-решений.

Сможет ли Micron удержать заявленные 5,4 Гбит/с без критического перегрева в реальных серверных условиях — пока большой вопрос. Окончательные спецификации, как водится в этой индустрии, могут серьёзно скорректироваться ближе к старту массового выпуска.

Никита Карпов

Главный редактор

Пишу о гаджетах, нейросетях и том, как технологии меняют нашу жизнь. Проверяю всё на себе, чтобы вы не тратили деньги зря.