Samsung представила концепции памяти нового поколения zHBM, zNAND-O, V10 BV-NAND и LPDDR5X-PIM на FMS 2026
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе (Калифорния) компания Samsung Electronics раскрыла масштабное видение архитектуры памяти для систем искусственного интеллекта и дата-центров следующего десятилетия. В центре внимания — четыре ключевых направления: вертикальная интеграция HBM над процессором, специализированная флеш-память для Edge AI, новый прототип 3D NAND с 400+ слоями и оперативная память с вычислениями внутри кристалла. 
Архитектура zHBM: память над процессором
Главным концептуальным анонсом стала технология zHBM. В отличие от привычной схемы, когда стеки высокопропускной памяти (HBM) размещаются рядом с GPU или ИИ-ускорителем на общей кремниевой подложке, Samsung предлагает монтировать память непосредственно над вычислительным кристаллом — в вертикальной 3D-компоновке.
По расчетам инженеров компании, такой подход в перспективе обеспечит:
- рост производительности до 8 раз по сравнению с будущим стандартом HBM5;
- увеличение плотности размещения памяти более чем в 10 раз;
- трехкратное повышение энергоэффективности;
- снижение теплового сопротивления более чем на 50%.
Важно подчеркнуть: на данном этапе zHBM — это концептуальный проект и математическое моделирование, а не готовое коммерческое «железо». Конкретные сроки выхода на рынок и стоимость компания не раскрывает. 
Концепт zNAND-O для периферийного ИИ
Второе направление — zNAND-O, высокопроизводительная флеш-память на базе V-NAND, спроектированная специально для систем искусственного интеллекта на «краю сети» (Edge AI). Память будет выпускаться в вариантах с 4 и 8 слоями. Главная задача — максимальное сокращение задержек при локальной обработке данных без обращения к облачным ресурсам. Технология нацелена на сценарии, где критична скорость реакции: автономное вождение, промышленная робототехника, умные камеры и мобильные устройства с локальными LLM.
Прототип V10 BV-NAND: более 400 слоев
В линейке 3D NAND Samsung продемонстрировала прототип V10 BV-NAND с архитектурой Bonding Vertical (BV) и технологией соединения пластин (Wafer Bonding). Суть метода: массив ячеек памяти и управляющие логические схемы изготавливаются раздельно на разных пластинах, а затем объединяются в монолитную структуру.
По сравнению с предыдущим поколением V9 V-NAND, новый прототип показывает:
- рост плотности хранения данных примерно на 58%;
- улучшение скоростей чтения, записи и операций ввода-вывода.
Преодоление рубежа в 400 слоев становится возможным именно за счет раздельной fabricación памяти и логики, что снимает ограничения термического бюджета и дефектности при наращивании высоты стека. 
LPDDR5X-PIM: вычисления внутри памяти
Четвертый анонс — демонстрация чипов LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory). Это оперативная память с интегрированными вычислительными блоками, способная выполнять часть ИИ-операций и алгоритмов прямо внутри кристалла, не передавая массивы данных на центральный процессор. Такая архитектура радикально снижает задержки и энергопотребление при инференсе нейросетей на мобильных устройствах, ноутбуках и серверах периферии.
Текущий статус линейки и планы
Помимо концепций, Samsung напомнила о текущем статусе передовых продуктов: уже идут поставки образцов HBM4E ключевым клиентам, показаны макеты будущей HBM5, а также актуальные корпоративные SSD серий PM и BM. Коммерческий релиз и цены на концепты zHBM и zNAND-O пока не анонсированы. Подробную техническую информацию можно найти в официальном пресс-релизе на портале Samsung Newsroom. 