Samsung представила концепции памяти zHBM и zNAND-O на конференции FMS 2026
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Калифорнии компания Samsung Electronics продемонстрировала несколько концептуальных архитектур памяти нового поколения, ориентированных на системы искусственного интеллекта и центры обработки данных. Главными новинками стали технологии zHBM и zNAND-O, а также прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями. Все представленные разработки находятся на стадии концепций и прототипов, коммерческие сроки выхода не раскрываются.
Архитектура zHBM: память над ускорителем
Ключевая инновация концепции zHBM — изменение компоновки: высокоскоростная память размещается вертикально непосредственно над ИИ-ускорителем (GPU), а не в горизонтальной плоскости рядом с ним на общей подложке, как в текущих решениях HBM. Такой подход кардинально сокращает путь передачи данных между процессором и памятью.
По предварительным расчетам Samsung, будущие системы на базе zHBM смогут обеспечить:
- восьмикратный прирост производительности по сравнению с перспективным стандартом HBM5;
- более чем десятикратное увеличение плотности размещения памяти;
- трёхкратный рост энергоэффективности;
- снижение теплового сопротивления более чем на 50%.
Секрет высокого быстродействия кроется в технологии объединения нескольких кремниевых пластин, позволяющей реализовать десятки тысяч каналов передачи информации в одном стеке. Дополнительно zHBM поддерживает интеграцию кастомной логики в стек памяти по запросу клиента. Samsung подчёркивает, что приведённые показатели являются расчётными для концепции, а не результатами испытаний готовых устройств.
Концепция zNAND-O для периферийного ИИ
Вторая крупная разработка — zNAND-O (буква «O» означает оптимизацию под On-device AI, то есть локальный ИИ на устройствах). Это высокопроизводительная флеш-память на базе V-NAND, предназначенная для периферийных систем искусственного интеллекта: смартфонов, AI-ПК, робототехники и пограничных серверов (Edge AI).
Технология объединяет стандартную структуру V-NAND с методом сквозных кремниевых межсоединений (TSV), позволяя собирать в вертикальный стек от 4 до 8 полупроводниковых кристаллов. Решение сочетает высокую ёмкость NAND со скоростью отклика, приближённой к требованиям ИИ в реальном времени, при компактных размерах. Впервые концепцию Z-NAND Samsung представила в 2025 году, обещая увеличение производительности в 15 раз и сокращение энергопотребления на 80%. По предварительным оценкам, Z-NAND будет в четыре раза дороже обычной TLC NAND.
V10 Bonding V-NAND: более 400 слоёв
Помимо концепций будущего, Samsung показала конкретный прототип — 10-е поколение V-NAND с технологией Bonding Vertical (BV). Впервые о V-NAND компания рассказала 13 лет назад. В новом поколении массив ячеек памяти и управляющие схемы изготавливаются отдельно, а затем соединяются в единую структуру методом Wafer Bonding.
Это позволило достичь количества слоёв более 400 штук. По данным Samsung, V10 BV-NAND обеспечивает увеличение плотности хранения примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, одновременно повышая скорость чтения, записи и обмена данными по интерфейсу. Уже заявлено, что в поколении V11 количество слоёв достигнет 500. По словам представителей компании, памятью типа V-NAND активно интересуется Nvidia.
Дорожная карта HBM и другие разработки
На том же мероприятии Samsung напомнила о развитии текущей линейки HBM. Компания начала поставлять образцы HBM4E клиентам ещё в мае 2026 года и первой в отрасли запустила массовое производство HBM4 с использованием 4-нм базового кристалла и DRAM 10-нм класса (1c). В виде макета была продемонстрирована память HBM5, которая, по оценкам Samsung, должна удвоить пропускную способность относительно HBM4E и снизить тепловое сопротивление на 20% благодаря прогрессивной технологии терморегулирования.
Также были показаны:
- LPDDR5X-PIM — память с возможностью выполнения части вычислительных операций непосредственно внутри модулей, что повышает скорость обработки и снижает энергопотребление;
- корпоративные SSD PM1763 и BM1773 для ИИ-серверов.
Samsung не раскрыла сроки коммерческого выпуска новых технологий zHBM и zNAND-O, их стоимость, совместимость с конкретными ИИ-ускорителями и результаты независимых испытаний. На данном этапе речь идёт о демонстрации перспективных разработок и прототипов.