Skip to content
Nanya Technology вложит $10,7 млрд в новый завод DRAM с EUV-литографией к 2027 году
08 августа 15:30 0 Просмотров Новости

Nanya Technology вложит $10,7 млрд в новый завод DRAM с EUV-литографией к 2027 году

Тайваньский производитель оперативной памяти Nanya Technology объявил о самом масштабном инвестиционном проекте за последние два десятилетия. Совет директоров компании утвердил программу вложений в размере до 346,6 млрд тайваньских долларов (около $10,7 млрд) на период с 2026 по 2029 год для строительства новой фабрики Fab 5A с применением литографии в глубоком ультрафиолете (EUV). В долгосрочной перспективе общая сумма инвестиций в предприятие может достичь $16 млрд.

здание фабрики Nanya Fab 5A на стадии строительства

Технологический скачок: от DDR3/DDR4 к 10-нм процессам

Исторически Nanya специализировалась на выпуске массовой и относительно недорогой памяти предыдущих поколений — в основном стандартов DDR3 и DDR4. Новый завод должен обеспечить компании технологический прорыв: Nanya планирует освоить передовые 10-нанометровые техпроцессы (узлы 1b, 1c, 1d и 1e). Внедрение EUV-оборудования критически важно для уменьшения топологических норм, наращивания производительности и энергоэффективности чипов, что станет условием входа в экосистему современных ИИ-серверов и дата-центров.

График выхода на мощность

Старт выпуска первых пластин на Fab 5A намечен на вторую половину 2027 года. По плану компании, к 2028 году объем производства должен достичь 30 000 пластин в месяц, к 2029 году — 35 900, а в дальнейшем мощность планируется довести до 45 000 пластин ежемесячно. Такие темпы разгона позволят Nanya существенно усилить присутствие на рынке передовой DRAM, где на данный момент доля компании составляет около 1%.

чип DRAM Nanya 10-нм класса с EUV-литографией

Рыночный контекст: бума ИИ и дефицит стандартной памяти

Инвестиционное решение обусловлено текущей конъюнктурой на рынке полупроводников. Ведущие игроки — «большая тройка» в лице Samsung, SK Hynix и Micron — перенаправили основные производственные мощности на выпуск дорогой высокоскоростной памяти HBM и передовой DDR5 для серверов искусственного интеллекта. Это создало дефицит и рост цен на стандартную DRAM, принесший Nanya рекордные финансовые результаты. Полученную прибыль компания решила реинвестировать в переход на передовые технологические рельсы.

Стратегическое значение для отрасли

Проект Fab 5A станет важным индикатором способности второстепенных производителей памяти интегрироваться в цепочки поставок ИИ-инфраструктуры. Успешный запуск EUV-продакшена у компании с долей 1% может изменить баланс сил на рынке оперативной памяти, насыщенном спросом на вычислительные мощности для генеративного ИИ. Наблюдатели отрасли, включая аналитиков TrendForce и корейские издания Chosunbiz и Chosun Ilbo, отмечают, что тайминг вложений совпадает с пиковым циклом инвестиций в ИИ-аппаратное обеспечение.

EUV-сканер ASML на производстве Nanya

Поделиться

Похожие публикации