TSMC и ученые создали атомарно тонкий транзистор на MoS₂ с диэлектриком 0,42 нм
Прорыв в двухмерных материалах
Компания TSMC совместно с исследователями достигла значительного результата в разработке транзисторов атомарного масштаба. Ученым удалось создать работающий транзистор толщиной всего 0,42 нанометра на основе монослоя дисульфида молибдена (MoS₂) и решить давнюю проблему формирования качественного подзатворного диэлектрика на двухмерных материалах. 
Проблема подзатворного диэлектрика
Основной вызов при использовании MoS₂ в качестве канала заключался в отсутствии свободных химических связей на поверхности материала. При попытках нанесения изолятора возникали дефекты и токи утечки, что делало невозможным создание стабильного затворного диэлектрика. Толщина монослоя MoS₂ составляет около 0,7 нанометра, что делает его перспективным кандидатом для будущих поколений чипов, но проблема диэлектрика блокировала практическое применение.
Решение: буферный слой из алюминия
Исследователи TSMC применили новый подход — сверхтонкий промежуточный буферный слой из алюминия. Этот слой позволил без повреждений поверхности MoS₂ сформировать стабильный оксидный диэлектрик толщиной 0,42 нм. Технология устранила проблему дефектов и утечек тока, открывая путь к созданию полноценных транзисторов на двухмерных материалах. 
Публикация в Nature Electronics
Результаты научной работы официально опубликованы в престижном журнале Nature Electronics. Публикация подтверждает фундаментальное значение достижения для перспектив полупроводниковых технологий. По данным источников, работа была представлена в августе 2026 года — соответствующие материалы появились 9, 10 и 15 августа.
Перспективы коммерческого применения
Создание атомарно тонкого транзистора с рабочим диэлектриком является важным шагом к внедрению 2D-материалов в промышленное производство чипов. Однако сроки выхода подобных технологий на коммерческий уровень пока не определены. TSMC продолжает исследования в направлении расширения возможностей закона Мура за пределы традиционного кремния. 