Skip to content
Samsung отложила внедрение High-NA EUV до 1-нм техпроцесса, следуя стратегии TSMC
12 августа 14:25 2 Просмотров Новости

Samsung отложила внедрение High-NA EUV до 1-нм техпроцесса, следуя стратегии TSMC

Сдвиг дорожной карты литографии

Samsung Electronics официально перенесла коммерческое развёртывание систем литографии High-NA EUV от компании ASML на этап 1-нм техпроцесса (обозначение A10), который ожидается около 2030 года. Обновлённый план озвучил старший технологический эксперт Samsung Пак Чан Мин (ChangMin Park) на конференции Next-Generation Lithography + Patterning Conference (NGL 2026) в Сувоне. Ранее компания рассчитывала задействовать оборудование с повышенной численной апертурой уже на узлах 2 нм и 1,4 нм, однако технические и экономические факторы заставили скорректировать график. установка ASML High-NA EUV на кампусе Samsung в Хвасонге

Причины решения и технические нюансы

По словам представителя Samsung, «мы хотели внедрить High-NA EUV в серийное производство на 2-нм и 1,4-нм узлах, но для этого всё ещё требуются дальнейшие технические улучшения. Мы считаем, что High-NA EUV станет необходимой начиная с A10 и более продвинутых узлов, и ведём совместную разработку с рядом партнёров». Переход на High-NA подразумевает повышение числовой апертуры от 0,33 до 0,55, что улучшает разрешение и потенциально позволяет заменить многократное патернирование (multi-patterning) на обычных EUV-сканерах однократным на новых системах. Однако сопутствующие технологии — маски иpellicules — пока требуют доработки, поэтому в ближайшие годы классическое EUV с multi-patterning и High-NA EUV с single patterning будут сосуществовать в производственных линиях. схема литографии High-NA EUV с числовой апертурой 0.55

Дорожная карта техпроцессов Samsung

Текущий график массового производства у корейского гиганта выглядит следующим образом: 2-нм процесс уже коммерциализирован, 1,4-нм узел SF1.4 запланирован на 2029 год, а уточнённые версии SF1.4+ и 1-нм — на 2030 год. Именно на этапе 1 нм (A10) и далее Samsung планирует полноценно задействовать High-NA EUV в высокобъёмном выпуске. До этого момента компания будет выжимать максимум из освоенного Low-NA EUV оборудования. дорожная карта техпроцессов Samsung SF1.4 и 1nm

Инвестиции и установленная база

Несмотря на сдвиг коммерческого запуска, Samsung уже создала инфраструктуру для освоения технологии. На кампусе в Хвасонге установлена одна система High-NA EUV — она поступила в прошлом году, вторая добавилась в первой половине 2026 года. Общий объём вложений в проект оценивается более чем в 1 трлн вон. Установленные сканеры используются для исследовательских и опытно-конструкторских работ, позволяя инженерам Samsung нарабатывать экспертизу перед серийным применением.

Контекст индустрии: позиции Intel, TSMC и SK hynix

Выбор Samsung ставит её в один ряд с главным конкурентом в фаундри-бизнесе — TSMC. Тайваньский гигант также демонстрирует осторожность: председатель С.С. Вэй (C.C. Wei) подтвердил закупку High-NA оборудования и ведение НИОКР, но старший вице-президент Кевин Чжан (Kevin Zhang) заявлял, что узлы A13 и A12 (оба на 2029 год) не потребуют новой литографии. «Когда мы увидим, что High-NA даёт измеримую выгоду, мы это сделаем», — отметил Чжан, не называя конкретных сроков после 2029 года.

Intel занимает противоположную, агрессивную позицию. В июле ASML подтвердила, что Intel уже применяет High-NA EUV для выбранных слоёв процессоров Core Ultra Series 3 (кодовое имя Panther Lake) на 18A-техпроцессе. Это первый в индустрии случай использования High-NA в массово производимых логических чипах. Мировая первая коммерческая система весом 165 тонн была установлена на фабрике Fab D1X в Хиллсборо (Орегон), монтаж завершили и начали калибровку в апреле 2024 года.

SK hynix также оценивает High-NA EUV для производства DRAM следующего поколения. По данным графика поставок ASML на 2027 год, корейский производитель памяти планирует задействовать технологию в своих линейках. процессор Intel Core Ultra Series 3 Panther Lake

Экономика перехода

Стоимость одной установки High-NA EUV приближается к 400 млн долларов, что делает решение о внедрении стратегически весомым. Для Samsung, которая работает над разворотом фаундри-бизнеса, откладывание дорогостоящего этапа позволяет сфокусироваться на рентабельности текущих узлов, не теряя компетенций в перспективной литографии. Отраслевые наблюдатели отмечают, что консервативный подход двух крупнейших фаундри — Samsung и TSMC — создаёт предсказуемое окно для цепочки поставок ASML и смежных вендоров масок, фоторезистов и систем метрологии.

Поделиться

Похожие публикации