Samsung Foundry ускоряет расширение мощностей для 2-нм и 1,4-нм чипов, закрепляет крупные заказы

Samsung Electronics активно развивает свое полупроводниковое подразделение Samsung Foundry на фоне растущего интереса клиентов к передовым технологическим нормам. Компания пересмотрела приоритеты, направив основные ресурсы на стабилизацию и повышение уровня выхода годных кристаллов для 2-нм техпроцесса (SF2 и его производных вроде SF2P), а также скорректировала сроки разработки 1,4-нм процесса (SF1.4) с целью гарантировать его зрелость к серийному запуску.

График внедрения 2-нм и 1,4-нм технологий

По данным TrendForce, серийное производство по 1,4-нм норме (SF1.4) запланировано на 2029 год. Параллельно Samsung ускоряет расширение производственной базы как на территории Южной Кореи, так и за рубежом. В Пхентхэке продолжается масштабирование мощностей, а в США на предприятии в Тейлоре (штат Техас) завершается подготовка к запуску первой очереди — Taylor Fab 1. Также запланировано начало строительства второй линии, Taylor Fab 2, с расчетом на серийный выпуск продукции к 2030 году.

По прогнозам аналитиков, доля передовых узлов в выручке Samsung Foundry превысит 50% уже в текущем году. Реструктуризация бизнес-микса движется в сторону высокомарочных продуктов для HPC, ИИ и мобильных приложений.

Крупные контракты и переговоры

Южнокорейскому гиганту удалось закрепить за собой ряд значимых заказов на передовые технологические нормы. Среди них — крупное соглашение о производстве чипов для автономных систем и искусственного интеллекта для Tesla. Кроме того, ведутся активные переговоры с другими разработчиками высокопроизводительных вычислительных решений (HPC) и мобильных процессоров.

По информации ZDNet, Samsung расширяет сотрудничество по разработке и коммерциализации продуктов с заказчиками в мобильном сегменте и сфере ИИ. Источники в соцсетях, включая аккаунт Samsung Austin Semiconductor и профиль jukan05 на X, подтверждают движение по обеим производственным линиям в Техасе.

Стратегический вектор

Фокус на транзисторах архитектуры GAA (Gate-All-Around) в 2-нм и 1,4-нм нормах позволяет Samsung претендовать на лидерство в энергоэффективности и производительности для следующего поколения ИИ-ускорителей, мобильных SoC и чипов автономного вождения. Стабилизация выхода годной продукции на SF2 остается ключевым операционным приоритетом перед масштабированием на SF1.4.